RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
44
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3435
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link