RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1997
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link