RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1997
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link