Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

総合得点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 11.7

テスト平均値

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 77

周辺 -148% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

7.7 2,622.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

77 31
読み出し速度、GB/s

3,405.2 11.7
書き込み速度、GB/秒

2,622.0 7.7
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

763 1997

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905663-030.A00G 16GB

Kingston 9905663-030.A00G 16GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB