RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3649
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link