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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
11.2
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3649
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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