RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2320
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link