RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2524
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link