RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3574
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link