RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
15.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3574
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link