RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
44
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3028
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link