RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3238
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link