RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3495
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link