RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1768
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link