RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3538
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905625-004.A03LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link