RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3873
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link