RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3825
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link