RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3795
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link