RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
73
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
73
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1736
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link