RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2738
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link