RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
49
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3607
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link