RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3683
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link