RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3697
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link