RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2356
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link