RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2569
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NF-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link