RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2698
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link