RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2632
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link