RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3127
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link