RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3064
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link