RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2026
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link