RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3582
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link