RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2489
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link