RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3535
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link