RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3606
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link