RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3606
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link