RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3606
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link