RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3429
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link