RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
85
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1277
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link