RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link