RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 65
    Около -110% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2535

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
модули RAM