RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
85
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
85
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1277
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link