RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3635
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link