RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3635
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link