RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3355
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link