RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
47
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2427
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO M418039 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link