RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
47
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
42
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2427
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link