RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2288
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link