RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3076
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link