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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3076
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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