RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2489
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link